静电放电测试可以检验器件防静电能力是否符合相关标准，主要分为三种模式：人体模式、机器模式、芯片放电模式。闩锁效应是指在CMOS制造工艺中，在电源线和地线之间由于存在寄生三极管相互影响而产生低阻抗通路，导致电源线和地线之间产生大电流，从而烧坏芯片，根据器件规格书上的电气特性参数表来搭建DUT板接入测试机测试，根据相关标准给器件加电压或者电流，测试器件是否会因产生闩锁效应而失效。